Ang CKD Technology ay hindi lamang may mga bagong makina na may stock, na magagamit kaagad.
Mayroon din kaming detalyadong negosyo sa pag-upa, na handang ihatid ang iyong partikular na pangangailangan sa produksyon habang makabuluhang binabawasan ang iyong paunang puhunan. Makipag-ugnayan sa amin para sa higit pang mga detalye.
Ang CKD ay may pangkat ng mga propesyonal na inhinyero, na handang maghatid ng turn key na serbisyo.
Para sa pangangalakal ng mga ginamit na makina, mangyaring makipag-ugnayan sa amin sa pamamagitan ng Whatspp o email.
-----------------------------------------------------------------------------------
Ang MYW10 plasma system ay naghahatid ng isang napaka-flexible, high-throughput na proseso ng paggamot sa ibabaw ng wafer.
• Atmospheric-pressure argon plasma system
• 100mm-wide inline plasma batch processing; nag-aalok ng 2–5 beses na mas mataas na kahusayan at higit sa 30% na mas mababang mga gastos sa pagpapatakbo kumpara sa mga tradisyonal na pamamaraan
• 100% neutral na plasma; ligtas at banayad sa mga sensitibong bahagi ng elektroniko—walang pagbobomba ng plasma, static na kuryente, sparks, arcing, alikabok, mataas na init, ripples sa ibabaw, o UV radiation, na tinitiyak na walang pinsala sa produkto
• Maraming gamit na proseso ng kemikal: Proseso ng O2 para sa pag-alis ng mga organikong kontaminant; Proseso ng H2 para sa pag-alis ng mga metal oxide at pag-activate ng mga ibabaw ng produkto
• Hindi nagdudulot ng kontaminasyon ng butil o pagbabago sa pagkamagaspang sa ibabaw ng wafer
• Tugma sa paggawa ng wafer at tape frame, na nagbibigay-daan para sa mabilis na paglipat sa pagitan ng dalawa
• Nakakatugon sa mga pamantayan ng Class 10 cleanroom at SEMI
| Mga Pangunahing Parameter | MYW10 |
| Mga Kinakailangan sa Power | AC 380V, 13kW, 20A, 50/60Hz |
| Mga Kinakailangan sa Air Pressure | 90psi (6bar) |
| Mga sukat | 2000 x 2800 x 2200 mm |
| Timbang | 2200 kg |
| Mga Pamantayan sa Sertipikasyon | SEMI S2/S6/S8 |
| Katumpakan ng Pagpoposisyon | XY: ±20 µm @ 3σ; Z: ±10 µm @ 3σ |
| XYZ-Axis Repeatability | XY: ±10 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Pinakamataas na Bilis | 1000 mm/s (XY) |
| Pagpapabilis | 1.0g |
| Sistema ng Pagmamaneho | AC servo |
| Mga Detalye ng Platform ng Trabaho | |
| Paraan ng Paglo-load/Pagbaba | OHT + Load Port + Robotic Arm |
| Robotic Arm Payload | 3 kg |
| Katugmang Laki ng Wafer | 12-pulgada (300 mm) |
| Software Operating System | Windows 10 |
| X/Y Paglalakbay | 400 mm / 500 mm |
| Z-Axis Travel | 20mm |
| Protokol ng Komunikasyon | SECS/GEM |
| Saklaw ng Operating | |
| Lugar ng Paggamot sa Plasma (W×D) | 300×300mm |
| Post-treatment Water Contact Angle (WCA) | WCA < 10° (Silicon wafer) |
| Paraan ng Paggamot sa Plasma | Proseso ng O2 para sa pag-alis ng mga organikong kontaminado Proseso ng H2 para sa pagtanggal ng metal oxide |
| Mga Kinakailangan sa Sistema ng Plasma | |
| RF Power | 600W sa 27.12MHz |
| Pangunahing Plasma Gas | Argon |
| Proseso ng Gas | O2, N2, o H2 |
| Saklaw ng Presyon ng Gas Supply | 40–100 psi (0.3–0.7 MPa) |
Address
5th Floor, Building 2, No. 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, Guangdong Province, China.
Tel
