Ang CKD Technology ay hindi lamang may mga bagong makina na may stock, na magagamit kaagad.
Mayroon din kaming detalyadong negosyo sa pag-upa, na handang ihatid ang iyong partikular na pangangailangan sa produksyon habang makabuluhang binabawasan ang iyong paunang puhunan. Makipag-ugnayan sa amin para sa higit pang mga detalye.
Ang CKD ay may pangkat ng mga propesyonal na inhinyero, na handang maghatid ng turn key na serbisyo.
Para sa pangangalakal ng mga ginamit na makina, mangyaring makipag-ugnayan sa amin sa pamamagitan ng Whatspp o email.
-----------------------------------------------------------------------------------
Nakakamit ng MYL10 plasma system ang high-throughput surface treatment para sa mga lead frame.
• Atmospheric-pressure argon plasma system
• 100mm-wide inline batch plasma processing; nag-aalok ng 2–5 beses na mas mataas na kahusayan at higit sa 30% na mas mababang mga gastos sa pagpapatakbo kumpara sa mga tradisyonal na pamamaraan; maximum throughput na 1,800 UPH
• High-throughput, napaka-flexible na produksyon: may kakayahang magproseso ng mga lead frame ng iba't ibang laki, kabilang ang sabay-sabay na pagproseso ng iba't ibang laki
• 100% neutral plasma: ligtas at banayad sa mga sensitibong bahagi ng elektroniko; hindi gumagawa ng plasma bombardment, static na kuryente, sparks, arcs, dust, high heat, surface ripples, o UV radiation, na tinitiyak na walang pinsala sa produkto
• Maramihang proseso ng kemikal: Ang proseso ng O2 ay nag-aalis ng mga organikong kontaminant; Tinatanggal ng proseso ng H2 ang mga metal oxide at pinapagana ang mga ibabaw ng produkto
• Walang particle o likidong kontaminasyon na nabuo sa produkto
| Mga Pangunahing Parameter | MYL10 |
| Mga Kinakailangan sa Power | AC 200~240V, 5kW, 23A, 50/60Hz |
| Mga Kinakailangan sa Air Pressure | 90psi (6bar) |
| Mga sukat | 1500 x 2100 x 2100mm |
| Timbang | 2500 kg |
| Mga Pamantayan sa Sertipikasyon | CE, SEMI S2 |
| Katumpakan ng Pagpoposisyon | XY: ±20 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| XYZ-Axis Repeatability | XY: ±15 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Pinakamataas na Bilis | 1000 mm/s (XY) |
| Pagpapabilis | 1.0 g |
| Sistema ng Pagmamaneho | AC servo |
| Mga Parameter ng Platform ng Trabaho | |
| Uri ng Riles | Riles |
| Bilang ng Riles | 4 |
| Saklaw ng Kapal ng Produkto | 0.1–1 mm |
| Z-Axis Travel | 100 mm |
| Max. Throughput (UPH) | 1800 |
| Protokol ng Komunikasyon | SMEMA |
| Saklaw ng Paggawa | |
| Lugar ng Paggamot sa Plasma (W×D) | 300–1320 mm |
| Paraan ng paggamot sa plasma | Proseso ng O2 para sa pag-alis ng mga organikong kontaminado Proseso ng H2 para sa pag-alis ng mga metal oxide |
| Mga kinakailangan sa sistema ng plasma | |
| RF kapangyarihan | 600 W sa 27.12 MHz |
| Pangunahing plasma gas | Argon |
| Iproseso ang gas | O2, N2, o H2 |
| Saklaw ng presyon ng supply ng gas | 40–100 psi (0.3–0.7 MPa) |
Address
5th Floor, Building 2, No. 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, Guangdong Province, China.
Tel
