Ang CKD Technology ay hindi lamang may mga bagong makina na may stock, na magagamit kaagad.
Mayroon din kaming detalyadong negosyo sa pag-upa, na handang ihatid ang iyong partikular na pangangailangan sa produksyon habang makabuluhang binabawasan ang iyong paunang puhunan. Makipag-ugnayan sa amin para sa higit pang mga detalye.
Ang CKD ay may pangkat ng mga propesyonal na inhinyero, na handang maghatid ng turn key na serbisyo.
Para sa pangangalakal ng mga ginamit na makina, mangyaring makipag-ugnayan sa amin sa pamamagitan ng Whatspp o email.
-----------------------------------------------------------------------------------
Ang serye ng MYS10 ay isang ganap na awtomatiko, in-line na plasma processing system na binuo para sa mga aplikasyon sa mga sektor tulad ng semiconductors, electronics, SMT, optoelectronics, at medikal na teknolohiya.
• Atmospheric-pressure argon plasma system
• 100mm-wide in-line batch plasma processing; nag-aalok ng 2–5 beses na mas mataas na kahusayan at higit sa 30% na mas mababang mga gastos sa pagpapatakbo kumpara sa mga tradisyonal na pamamaraan
• 100% neutral na plasma; ligtas at malumanay sa mga sensitibong bahagi ng elektroniko—na hindi gumagawa ng plasma bombardment, static na kuryente, sparks, arcs, alikabok, mataas na init, surface ripples, o UV radiation, na tinitiyak na walang pinsala sa mga produkto
• Compact plasma platform na nag-aalok ng mataas na flexibility at compatibility
• Maraming gamit na proseso ng kemikal: Proseso ng O2 para sa pag-alis ng mga organikong kontaminant; Proseso ng H2 para sa pag-alis ng mga metal oxide at pag-activate ng mga ibabaw ng produkto
• Walang henerasyon ng mga particulate o likidong contaminants
| Pangunahing Pagtutukoy | MYS10 |
| Mga Kinakailangan sa Power | AC 200–240V, 4.4kW, 20A, 50/60Hz |
| Mga Kinakailangan sa Air Pressure | 90 psi (6 bar) |
| Mga sukat | 790 x 1200 x 1880 mm |
| Timbang | 800 kg |
| Mga Pamantayan sa Sertipikasyon | CE, SEMI S2 |
| Katumpakan ng Pagpoposisyon | XY: ±30 µm @ 3σ; Z: ±10 µm @ 3σ |
| Pag-uulit ng XYZ Axis | XY: ±15 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Pinakamataas na Bilis | 1000 mm/s (XY) |
| Pagpapabilis | 1.0g |
| Sistema ng Pagmamaneho | AC servo |
| Mga Detalye ng Platform ng Trabaho | |
| Uri ng Track | sinturon |
| Kapasidad ng pagkarga ng riles | 3 kg |
| Saklaw ng kapal ng substrate (walang carrier) | 0.5–6 mm |
| Z-axis na paglalakbay | 100 mm |
| Max. taas ng bahagi (itaas na bahagi) | 26 mm |
| Max. taas ng bahagi (ibabang bahagi) | 23 mm |
| Protocol ng komunikasyon | SMEMA |
| Saklaw ng trabaho | |
| Lugar ng paggamot sa plasma (W×D) | 350–475 mm |
| Water Contact Angle (WCA) pagkatapos ng paggamot sa plasma | WCA < 10° (Silicon wafer) WCA < 20° (Non-metallic) |
| Paraan ng paggamot sa plasma | Proseso ng O2 para sa pag-alis ng mga organikong kontaminado Proseso ng H2 para sa pagtanggal ng metal oxide |
| Mga kinakailangan sa sistema ng plasma | |
| RF Power | 600W sa 27.12MHz |
| Pangunahing Plasma Gas | Argon |
| Proseso ng Gas | O2, N2, o H2 |
| Saklaw ng Presyon ng Gas Supply | 40–100 psi (0.3–0.7 MPa) |
Address
5th Floor, Building 2, No. 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, Guangdong Province, China.
Tel
