Ang CKD Technology ay hindi lamang may mga bagong makina na may stock, na magagamit kaagad.
Mayroon din kaming detalyadong negosyo sa pag-upa, na handang ihatid ang iyong partikular na pangangailangan sa produksyon habang makabuluhang binabawasan ang iyong paunang puhunan. Makipag-ugnayan sa amin para sa higit pang mga detalye.
Ang CKD ay may pangkat ng mga propesyonal na inhinyero, na handang maghatid ng turn key na serbisyo.
Para sa pangangalakal ng mga ginamit na makina, mangyaring makipag-ugnayan sa amin sa pamamagitan ng Whatspp o email.
-----------------------------------------------------------------------------------
Ang serye ng MYS10iL ay isang ganap na awtomatiko, in-line na plasma processing system na binuo para sa mga aplikasyon sa iba't ibang sektor, kabilang ang semiconductors, electronics, SMT, optoelectronics, at medikal na teknolohiya.
• Atmospheric-pressure argon plasma system
• 100mm-wide inline batch plasma processing; nag-aalok ng 2–5 beses na mas mataas na kahusayan at higit sa 30% na mas mababang mga gastos sa pagpapatakbo kumpara sa mga tradisyonal na pamamaraan
• 100% neutral na plasma; ligtas at banayad sa mga sensitibong bahagi ng elektroniko—walang pagbobomba ng plasma, static na kuryente, sparks, arcs, alikabok, mataas na temperatura, surface ripples, o UV radiation
• Maraming gamit na proseso ng kemikal: Proseso ng O2 para sa pag-alis ng mga organikong kontaminant; Proseso ng H2 para sa pag-alis ng mga metal oxide at pag-activate ng mga ibabaw ng produkto
• Gumagawa ng walang particulate o likidong kontaminasyon sa produkto
| Mga Pangunahing Parameter | MYS10iL |
| Mga Kinakailangan sa Power | AC 200~240V, 4.5kW, 20A, 50/60Hz |
| Mga Kinakailangan sa Air Pressure | 90psi (6bar) |
| Mga sukat | 1000 x 1500 x 1550mm |
| Timbang | 1050kg |
| Sertipikasyon | CE |
| Katumpakan ng Pagpoposisyon | XY: ±50µm @ 3σ; Z: ±10µm @ 3σ |
| XYZ-Axis Repeatability | XY: ±25µm @ 3σ; Z: ±5µm @ 3σ |
| Pinakamataas na Bilis | 1000mm/s (XY) |
| Pagpapabilis | 1.0g |
| Sistema ng Pagmamaneho | AC servo |
| Mga Parameter ng Platform ng Trabaho | |
| Uri ng Conveyor | sinturon |
| Kapasidad ng Pagkarga ng Conveyor | 3kg |
| Saklaw ng Kapal ng PCB (walang carrier) | 0.5–6mm |
| Z-Axis Travel | 60mm |
| Max. Taas ng Bahagi (Itaas na Gilid) | 45mm |
| Max. Taas ng Bahagi (Ibabang Gilid) | 23mm |
| Protokol ng Komunikasyon | SMEMA |
| Saklaw ng Paggawa | |
| Lugar ng Paggamot sa Plasma (W×D) | 550–760mm |
| Water Contact Angle (WCA) pagkatapos ng paggamot sa plasma | WCA < 10° (Silicon wafer) WCA < 20° (Mga hindi metal na materyales) |
| Paraan ng paggamot sa plasma | Proseso ng O2 para sa pag-alis ng mga organikong kontaminado Proseso ng H2 para sa pagtanggal ng metal oxide |
| Mga kinakailangan sa kagamitan ng sistema ng plasma | |
| RF kapangyarihan | 600W sa 27.12MHz |
| Pangunahing plasma gas | Argon |
| Iproseso ang gas | O2, N2, o H2 |
| Saklaw ng presyon ng supply ng gas | 40–100 psi (0.3–0.7 MPa) |
Address
5th Floor, Building 2, No. 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, Guangdong Province, China.
Tel
